Продемонстрирован управляемый синтез пористого карбида кремния

Сотрудники Технического университета Вены преуспели в создании метода контролируемого синтеза пористых структур из монокристаллического карбида кремния. В отличие от традиционного кремния этот полупроводник устойчив к воздействию высоких температур и кислот, что открывает новые возможности реализации миниатюрных сенсоров, антирефлективных покрытий, суперконденсаторов и других оптических и электронных компонентов в том числе для биологических и электрохимических приложений.

Подобное контролируемое обрушение позволяет создавать сложные многослойные микро- и наноструктуры, требующиеся для специализированных сенсоров.

По материалам сайта http://ko.com.ua

ФМБИ