Версия для слабовидящих
Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

Шаныгин Виталий Яковлевич

Образование и карьера

2007 — окончил Саратовский государственный технический университет с присуждением степени бакалавра техники и технологии по направлению: «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

2007-2020 — научный сотрудник СФИРЭ им. В.А. Котельникова РАН в лаборатории «Субмикронной электронно-ионной технологии».

2009 — окончил Саратовский государственный технический университет с присуждением степени магистра техники и технологии по направлению: «Электротехника, электромеханика и электротехнологии».

2009 — поступил в аспирантуру Саратовского государственного технического университета на кафедру «Автоматизированные электротехнологические установки и системы».

2015 — защитил кандидатскую диссертацию на тему «Совершенствование технологии создания устройств микро- и наноэлектроники с использованием неравновесной СВЧ плазмы низкого давления». Принята на должность ассистента кафедры.

2020 — принят на должность доцента кафедры «Электроэнергетика и электротехника» Саратовского государственного технического университета имени Гагарина Ю.А.

2021 — инженер КИП и А ООО «Бесттерм».

Награды

2011 – Диплом III степени Бронзовая медаль за проект «Автоэмиссионные интегральные микроприборы на основе наноалмазографитового катода» Авторы проекта: Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Министерство науки и высшего образования РФ.

Повышение квалификации

2022 — программа «Цифровые технологии в преподавании профильных дисциплин». АНО ВО «Университет Иннополис». 144 часа.

2021 — программа профессиональной переподготовки «Преподаватель высшего образования по электро- и теплотехнике в условиях внедрения ФГОС нового поколения». СГТУ имени Гагарина Ю.А. 256 часов.

2021 — программа профессиональной переподготовки «Психолого-педагогические особенности и воспитание обучающихся с ограниченными возможностями здоровья и инвалидностью в условиях реализации федеральных государственных образовательных стандартов СПО и ВО». СГТУ имени Гагарина Ю.А. 36 часов.

2021 — программа профессиональной переподготовки «Современные информационные образовательные технологии». СГТУ имени Гагарина Ю.А. 54 часа.

Преподаваемые дисциплины
Электротехника
Промышленная электроника
Основные публикации
  1. Яфаров Р. К., Шабунин Н. О., Шаныгин В.Я., Захаревич А.М.  Наноуглеродные композиты для безнакальных магнетронов СВЧ и субтерагерцового диапазонов// Изв. Сарат. ун-та. Нов. сер. Сер. Физика. 2020. Т. 20, вып. 2. С. 134-143.
  2. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я., Нефедов Д.В. Углеродный пленочный нанокомпозит для сильноточных полевых источников электронов // Известия Саратовского университета. Новая серия. Серия: Физика. 2019. Т. 19., вып. 1. С.68-75.
  3. Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Автоэмиссионные свойства поверхностно модифицированных кристаллов кремния различных типов проводимости // Радиотехника и электроника, Москва: издательство Российская академия наук, 2019, Т. 64, №3, С. 295-301. DOI: 10.1134/S0033849419030203          
  4. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Анализ механизмов и результатов плазмохимической модификации поверхности кремния (100) при микроволновой плазменной обработке // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. Издательство: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный университет" (Астрахань). 2019, №3 (43), С. 118-128.
  5. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Математическое моделирование кинетики самоорганизации субнаноразмерных углеродных масочных покрытий на кристаллах кремния (100) // Прикаспийский журнал: управление и высокие технологии. Издательство: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Астраханский государственный университет" (Астрахань). 2019, №3 (43), С. 109-117.
  6. Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Автоэмиссионные свойства наноструктуриррованных кремниевых катодных матриц // Микроэлектроника, -М: Издательство «Наука», 2018.-Т.47, № 2, С. 115-123.
  7. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Влияние микроволновой плазмохимической обработки на морфологию и автоэмиссионные свойства кристаллов кремния // Электронная техника. Серия 3: Микроэлектроника, -М: Издательство АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники», 2018.- №1(169), С. 54-58.
  8. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К., Нефедов. Д.В. Поверхностное структурирование кристаллов кремния как метод улучшения их автоэмиссионных свойств // Нелинейный мир, М.: издательство «Радиотехника», 2018, т. 16, № 2, С. 13-14.
  9. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Нефедов Д.В. Исследование влияния плазмохимической модификации на автоэмиссионные свойства кристаллов кремния // Вопросы электротехнологии, Саратов: издательство СГТУ, 2017, №4 (17), С. 5-15.
  10. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Поверхностное наноструктурирование в системе углерод--кремний (100) при микроволновой плазменной обработке // ФТП, 2017.- Т.51.- Вып.4.- С.558-562.
  11. Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Тунелирование электронов из кристаллов кремния, поверхностно структурированных с использованием микроволновой плазмы аргона // Вопросы электротехнологии, Саратов: издательство СГТУ, 2017, №1 (14), С. 5-12.
  12. Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Шаныгин В.Я. Влияние нелитографического наноструктурирования и модификации поверхности на автоэмиссионные свойства многоострийных кремниевых катодов // Радиотехника. 2017. № 7. С. 53-59.
  13. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки. // ФТП, 2016.- Т.50.- Вып.1.- С. 55-59.
  14. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении // ФТТ, 2016.- Т.58.- Вып.2. - С. 350-353.
  15. Шаныгин В.Я., Нефедов Д.В., Суздальцев С.Ю., Яфаров Р.К. Влияние концентрации эмиссионных центров в виде окон через пленку из нестехиометрической окиси кремния на автоэмиссию кремния, имплантированного ионами углерода // Материалы международной научно – технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП-2016)". СГТУ. Саратов. 2016. С. 159-161.
  16. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Кинетика структурирования субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100) при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении // ЖТФ, - С-Пб: Издательство журнала, 2015.- Т. 85.- Вып. 6.- С. 61-68.
  17. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Поверхностное структурирование кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимического травления кремния в хладоне-14 // Вопросы электротехнологии, Саратов: издательство СГТУ, 2015, №4 (9), С. 83-89.
  18. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Формирование углеродных субнаноразмерных масковых покрытий на кремнии (100) в СВЧ-плазме низкого давления. // Письма в ЖТФ, 2014, том 40, вып. 7, С. 8-15.
  19. Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю., Нефедов Д.В., Шаныгин В.Я. Влияние адгезионного слоя и плазмохимической обработки на автоэмиссию алмазографитового катода. // Вопросы электротехнологии, Саратов: издательство СГТУ, 2014, №1 (2), С. 6-13.
  20. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Поверхностное структурирование кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимического травления кремния в хладоне-14. // Материалы международной научно – технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП 2014)". СГТУ. Саратов. 2014. С. 381-387.
  21. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Релаксационная самоорганизация поверхности кристаллов кремния под воздействием СВЧ плазменной микрообработки. // ФТП, 2013.- Т.47.- Вып.4.- С.447-459.
  22. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Особенности структурирования поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке в различных газовых средах. // Письма в ЖТФ, 2013, том 39, вып. 9, С. 1-8.
  23. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Наноморфологические характеристики поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ-плазменной обработке в условиях слабой адсорбции. // ЖТФ, - С-Пб: Издательство журнала, 2013.- Т.83.- Вып.4.- С.92-98.
  24. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Влияние СВЧ плазменной микрообработки в условиях слабой адсорбции на наноморфологию поверхности кристаллов кремния (100) // Микроэлектроника, -М: Издательство «Наука», 2013.-Т.42, № 5, С. 341-347.
  25. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Особенности наноструктурирования субмонослойных покрытий углерода, осажденных на поверхность монокристаллов кремния в низкотемпературной плазме СВЧ-разряда // ЖТФ, - С-Пб: Издательство журнала, 2012.- Т.82.- Вып.8.- С.76-82.
  26. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Кинетика атомных механизмов адсорбции при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния. // Материалы международной научно – технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП 2012)". СГТУ. Саратов. 2012. С.60-65.
  27. Яфаров Р.К., Шаныгин В.Я. Модификация наноморфологии монокристаллов кремния (100) при СВЧ плазменной обработке различной селективностью. // Вестник Саратовского государственного технического университета, 2012, №2 (66), выпуск 2., С. 183-190.
  28. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К., Суздальцев С.Ю. Исследования автоэмиссионного диода с тангенциальным токоотбором из тонкопленочного наноалмазографитового эмиттера // Письма в ЖТФ, 2011, том 37, вып. 11, С. 91-98.
  29. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Структурирование субмонослойных углеродных покрытий, осажденных в СВЧ плазме низкого давления на монокристаллическом кремнии// ФТП, 2011.- Т.45.- Вып.11.- С.1542-1548.
  30. Шаныгин В.Я., Шатунов Д.А., Яфаров Р.К. Исследование возможности получения низкоразмерных систем с использованием явления самоорганизации углеродного адсорбата на монокристаллическом кремнии// Материалы международной научно – технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП 2010)". СГТУ. Саратов. 2010. С.60-65.
  31. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Исследование закономерностей формирования самоорганизованных масочных покрытий атомарного разрешения с использованием коалесцентного распада субмонослойных углеродных пленок // Вестник Саратовского государственного технического университета, 2010, №3 (47), С. 86-94.
  32. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Получение атомарно-чистых поверхностей кремния в низкоэнергетичной СВЧ-плазме низкого давления // ЖТФ, 2009.- Т.79.- Вып.12.- С.73-78.
  33. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К., Кожевников А.В. СВЧ плазмохимическое травление кремния различных кристаллографических ориентаций. // Материалы международной научно – технической конференции "Актуальные проблемы электронного приборостроения (АПЭП 2008)". СГТУ. Саратов. 2008. С.83-89.
  34. Шаныгин В.Я., Яфаров Р.К. Механизм и качество травления кремния различных кристаллографических ориентаций в плазме СВЧ газового разряда низкого давления. // Вестник Саратовского государственного технического университета, 2007, №4 (29), вып. 2, С. 129-136.


Сведения из научно-технической библиотеки СГТУ имени Гагарина Ю.А.