Версия для слабовидящих
Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А.

Яфаров Равиль Кяшшафович

доктор технических наук, профессор
Научная тематика
  • Плазменные технологии и нанотехнологии
Образование и карьера

Окончил Московский институт электронной техники (МИЭТ).

Защитил кандидатскую и докторскую диссертации.

Работает в должности профессора кафедры «Автоматизированные электротехнологические установки и системы» по совместительству.

Является старшим научным сотрудником Института радиотехники и электроники РАН. Руководит лабораторией Института радиотехники и электроники РАН.


Сведения из научно-технической библиотеки СГТУ имени Гагарина Ю.А.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Поверхностный фазовый переход на кристаллах кремния (100) при низкотемпературном СВЧ вакуумно-плазменном осаждении. // Микроэлектроника. 2015. Вып. № 3. Т. 44. №№ 3. С. 207-219.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Кинетика структурирования субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100) при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении. // Журнал технической физики. 2015. Вып. вып. 6. Т. 85. №вып. 6. С. 61-68.
  • Яфаров Р. К., Климова С. А.Влияние СВЧ плазменной микрообработки на электронные свойства поверхности кристаллов кремния (100). // Журнал технической физики. 2014. Вып. № 3. Т. 84. №№ 3. С. 103-107.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Формирование углеродных субнаноразмерных масковых покрытий на кремнии (100) в СВЧ-плазме низкого давления. // Письма в "Журнал технической физики". 2014. Вып. вып. 7. Т. 40. №вып. 7. С. 8-15.
  • Усанов Д. А., Скрипаль А. В., Яфаров Р. К.Получение и диагностирование планарных сотовых углеродных структур. // Письма в "Журнал технической физики". 2015. Вып. вып. 13. Т. 41. №вып. 13. С. 95-101.
  • Бушуев Н. А., Шалаев П. Д., Яфаров А. Р., Яфаров Р. К.Влияние режима осаждения в СВЧ-плазме на полевую эмиссию электронов из наноалмазографитовых композитов. // Письма в "Журнал технической физики". 2015. Вып. вып. 10. Т. 41. №вып. 10. С. 57-64.
  • Яфаров Р. К.Формирование встроенного потенциала в кристаллах кремния (100) при СВЧ плазменной микрообработке. // Физика и техника полупроводников. 2014. Вып. вып. 4. Т. 48. №вып. 4. С. 529-534.
  • Яфаров Р. К., Климова С. А.Модификация электронных свойств поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ-плазменной микрообработке. // Микроэлектроника. 2014. Вып. № 4. Т. 43. №№ 4. С. 305-314.
  • Яфаров Р. К.Прекурсорная самоорганизация при СВЧ вакуумно-плазменном осаждении субмонослойных углеродных покрытий на кристаллах кремния (100). // Физика и техника полупроводников. 2015. Вып. вып. 3. Т. 49. №вып. 3. С. 329-335.
  • Яфаров Р. К., Котина Н. М.Автоэмиссионные источники электронов на основе наноалмазографитовых композитов. // Фундаментальные проблемы современного материаловедения. 2014. Вып. № 4. Т. 11. №№ 4. С. 425-427.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Поверхностный фазовый переход в системе углерод - кремний (100) при микроволновой плазменной обработке. // Вопросы электротехнологии. 2015. Вып. № 4 (9). №№ 4 (9). С. 83-89.
  • Шаныгин В. Я., Яфаров Р. К., Суздальцев С. Ю., Нефедов Д. В.Формирование кремний-углеродных доменов на кристаллах кремния (100). // Нелинейный мир. 2016. Вып. № 1. Т. 14. №№ 1. С. 74-76.
  • Яфаров Р. К., Шалаев П. Д., Яфаров А. Р.Туннельная эмиссия электронов из нанокомпозитных алмазографитовых пленочных структур. // Радиотехника. 2016. Вып. № 7. №№ 7. С. 41-46.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Морфологическая неустойчивость поверхности кристаллов кремния (100) при СВЧ ионно-физическом травлении. // Физика твердого тела. 2016. Вып. вып. 2. Т. 58. №вып. 2. С. 350-353.
  • Яфаров Р. К., Горнев Е. С., Орлов С. Н., Тимошенков С. П., Тимошенков В. П., Тимошенков А. С.Формирование автоэмиссионных эмиттеров с использованием микроволнового плазмохимического синтеза наноуглеродных структур. // Известия вузов. Электроника. 2016. Вып. № 2. Т. 21. №№ 2. С. 122-127.
  • Яфаров Р. К., Шаныгин В. Я.Релаксационная модификация морфологии атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазменной обработки. // Микроэлектроника. 2016. Вып. № 4. Т. 45. №№ 4. С. 273-279.
  • Яфаров Р. К.Неравновесная СВЧ-плазма низкого давления в научных исследованиях и разработках микро- и наноэлектроники. // Известия Саратовского университета. Новая серия. Сер.: Физика. 2015. Вып. Вып. 2. №Вып. 2. С. 18-31.
  • Шаныгин В. Я., Яфаров Р. К.Морфологическая устойчивость атомно-чистой поверхности кристаллов кремния (100) после СВЧ плазмохимической обработки. // Физика и техника полупроводников. 2016. Вып. вып. 1. Т. 50. №вып. 1. С. 55-59.
  • Yafarov R. K.On precursor self-organization upon the microwave vacuum-plasma deposition of submonolayer carbon coatings on silicon (100) crystals. // Semiconductors. 2015. Вып. № 3. Vol. 49. №№ 3. С. 319–324.
  • Yafarov R. K., Shanygin V. Ya.Kinetics of structuring of submonolayer carbon coatings on silicon (100) crystals during microwave vacuum-plasma deposition. // Technical Physics. 2015. Вып. № 6. Vol. 60. №№ 6. С. 848–854.
  • Yafarov R. K., Shanygin V. Ya.Surface phase transition on silicon crystals (100) with low-temperature microwave plasma chemical vapor deposition. // Russian Microelectronics. 2015. Вып. № 3. Vol. 44. №№ 3. С. 178–189.
  • Usanov D. A., Skripal A. V., Yafarov R. K.Fabrication and diagnostics of planar cellular carbon structures. // Technical Physics Letters. 2015. Вып. № 7. Vol. 41. №№ 7. С. 658–660.
  • Bushuev N. A., Shalaev P. D., Yafarov A. R., Yafarov R. K.Influence of the microwave plasma deposition regime on the field-electron emission characteristics of nanodiamond-graphite composite films. // Technical Physics Letters. 2015. Вып. № 5. Vol. 41. №№ 5. С. 489-492.
  • Yafarov R. K., Shanygin V. Ya.Morphological stability of the atomically clean surface of silicon (100) crystals after microwave plasma-chemical processing. // Semiconductors. 2016. Вып. № 1. Vol. 50. №№ 1. С. 54–58.